Samsung chwali się pamięciami GDDR6

poprzednie następne

Samsung już od dłuższego czasu pracuje nad kolejną generacją pamięci RAM typu GDDR, nazwaną po prostu GDDR6. Firma właśnie ogłosiła, że jej układy GDDR6 o pojemności 2 GB, oznaczone symbolem K4ZAF325BM-HC14 otrzymały w swojej kategorii nagrodę Najlepszej Innowacji CES 2018. Pamięci GDDR6 pojawią się na rynku w przyszłym roku i w porównaniu do GDDR5 i GDDR5X zaoferują znacznie wyższą przepustowość, wynoszącą do 16 Gbps. Dla porównania pamięci GDDR5X stosowane w aktualnych kartach Nvidia mogą się pochwalić przepustowością na poziomie 10 lub 11 Gbps.

Dzięki tej zmianie przepustowość podsystemu pamięci na kartach graficznych z 256-bitowym interfejsem wyniesie 512GB/s, a w przypadku magistrali 384-bitowej będzie to 768GB/s. W przypadku GDDRX o szybkości 11 Gbps jest to odpowiednio: 352GB/s i 528 GB/s.

Dodatkowo pamięci GDDR6 mają konsumować mniejsze ilości energii, dzięki napięciu zasilania obniżonym z 1,5 do 1,35V. Kości GDDR6 otrzymają także nowy algorytm zarządzania napięciem w zależności od tego z jakim zegarem w danym momencie pracują.. Metoda o nazwie LP4X powinna zmniejszyć średnie zużycie energii nawet o 20%.

Aktualnie nie wiadomo jeszcze kiedy Samsung będzie gotowy do uruchomienia masowej produkcji nowych układów GDDR6. Wiadomo, że w pamięci tego typu mają być wyposażone najszybsze karty z serii GeForce 2000. Aktualnie według nieoficjalnych informacji Nvidia zamierza zaprezentować kolejną generację swoich kart podczas konferencji GTC 2018, która odbędzie się w dniach 26-29 marca przyszłego roku.