Intel przedstawia proces litograficzny 10nm
Intel przedstawił pierwsze szczegóły na temat swojego nadchodzącego 10-manometrowego procesu litograficznego. Będzie to proces o bardzo dużej gęstości, pozwalający umieścić 100,8 miliona tranzystorów na milimetrze kwadratowym (100,8 MTr/mm2), czyli o około 2,7 razy więcej w porównaniu do dotychczasowego 14 nm procesu litograficznego Intela, który pozwalał na zmieszczenie 37,5 MTr/mm2. Oprócz zwiększonej gęstości nowy proces litograficzny oferuje także o 25 procent wyższą wydajność tranzystorów lub przy tej samej wydajności o 45 procent niższy pobór energii, względem procesu 14 nm. Nowy proces to także trzecia generacja tranzystorów z pionową bramką (Tri-gate).
W porównaniu do procesów 10nm innych producentów, gęstość nowego procesu Intela jest wysoka do tego stopnia, że firma wysunęła inicjatywę wprowadzenia znormalizowanego systemu określania wielkości litografii.
Według Intela gęstość jego 10nm procesu litograficznego jest prawie dwukrotnie wyższa niż konkurencyjnych procesów Samsunga i TSMC. Przedstawiciele firmy twierdzą, że oznaczenia litografii coraz częściej mają już tylko znaczenie marketingowe, i nie dają faktycznej możliwości szybkiego porównania ze sobą możliwości lub parametrów procesów litograficzny różnych producentów.
Intel zaproponował uniwersalny wzró, według którego oznaczenie procesu litograficznego byłoby obliczane matematycznie na podstawie wielkości tranzystorów (waga 40%) oraz gęstości tranzystorów na mm2 (waga 60%).
Intel zamierza udostępniać firmom trzecim możliwość produkcji układów w swoim 10nm procesie litograficznym, oferując dwie odmiany 10-nanometrowej litografii: 10GP (general purpose) – dla układów ogólnego przeznaczenia, oraz 10HPM (high performance mobile) – proces o wysokiej wydajności dla chipów mobilnych).
