Prezes Intela mówi na temat litografii 10nm i 7nm

Podczas konferencji Fortune Brainstorm Tech w Aspen, w Stanie Kolorado (USA), dyrektor generalny i prezes Intela, Robert Swan, wystąpił na scenie i opowiedział o tym, gdzie teraz jest Intel i jak dalej zamierza się rozwijać. W wątku dotyczącym dalszego istnienia bądź nieistnienia prawa Moora, dyrektor Intela poruszył kilka kwestii związanych z przygotowywanymi przez firmę procesami litograficznymi 10nm i 7nm. W odniesieniu do procesu litograficznego 10nm, Robert Swan stwierdził, że Intel po prostu przeszarżował, stawiając sobie zbyt ambitny cel polegający na zwiększeniu gęstości upakowania tranzystorów aż o 2,7 raza w stosunku do litografii 14nm.

W efekcie proces 10nm Intela ma parametry techniczne porównywalne do procesów litograficznych 7nm od innych producentów, a jego wdrożenie po dotychczasowej litografii 14nm można porównać do przeskoku o dwa procesy litograficzne naraz w jednym kroku. Ta trudność zdaniem Roberta Swana złożyła się w jednym czasie z innym czynnikiem - jakim jest coraz trudniejsze opracowywanie kolejnych procesorów litograficznych, co w efekcie spowodowało znaczne opóźnienie we wdrożeniu procesu 10nm.

Robert Swan zdradził też nieco szczegółów na temat przygotowywanego, kolejnego, 7nm procesu litograficznego. Jak stwierdził, proces ten będzie w pełni gotowy za około 2 lata. Ma to być możliwe m.in. dzięki temu, że w odróżnieniu od 10nm, przy jego opracowywaniu Intel przyjął mniej agresywne założenia, planując wzrost gęstości tranzystorów nie więcej niż o 100 procent.

Zdaniem redakcji TwojePC.pl, 7nm proces litograficzny Intela może być porównywalny pod względem parametrów technicznych z 5nm procesami litograficznymi zapowiadanymi przez innych wytwórców, m.in. TSMC i Samsunga.