Samsung rozpoczął produkcję pamięci GDDR6

poprzednie następne

Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci GDDR6. Produkowane kostki mają pojemność 16 Gb i są wytwarzane w procesie technologicznym klasy 10 nm (co oznacza proces pomiędzy 10 nm a 19 nm) i zapewniają przepustowość na poziomie 18 Gb na pin oraz 72 GB/s na całą kostkę (taktowanie efektywne 18 GHz). Według Samsunga nowe pamięci oferują dwukrotnie wyższą pojemność odraz dwukrotnie większą szybkość w porównaniu do najszybszych obecnie dostępnych pamięci GDDR5. Ponadto są zasilane niższym napięciem - 1,35V zamiast 1,55V, dzięki czemu mają pobierać o 35 procent mniej energii elektrycznej.

Zaawansowany proces litograficzny pozwala natomiast na uzyskiwanie 30 procent więcej kostek z jednego wafla, niż kostek GDDR5 o pojemności 8Gb.

Pamięci znajdą zastosowanie w najbardziej wydajnych kartach graficznych kolejnych generacji. Wygląda także na to, że Samsung jest o krok przed Hynixem, który zapowiedział uruchomienie produkcji pamięci GDDR6 pod koniec 1. połowy tego roku. W dodatku pamięci Hynixa będą wolniejsze - mają oferować efektywne taktowanie 16 GHz.