Intel chce produkować tranzystory GAAFET za 5 lat

Postępująca miniaturyzacja tranzystorów krzemowych wymusza kolejne zmiany w ich budowie. Niecałą dekadę temu, liderem tych zmian był Intel, który wraz z wprowadzeniem litografii 22nm zastąpił klasyczne planarne tranzystory, nowymi tranzystorami z pionową bramką, nazywane FinFET. Obecnie okazuje się, że przejście na procesy litograficzne mniejsze od 5nm będzie wymagać kolejnej zmiany w budowie pojedynczych tranzystorów, które zyskają konstrukcję typu GAAFET (gate-all-around field-effect transistor), w której pionowa bramka zostanie zastąpiona nanorurkami.

Aktualnie liderem w opracowywaniu tranzystorów GAAFET wydaje się być Samsung, który tranzystory tego typu wdroży w swojej 3nm litografii, która ma być gotowa w 2022 roku. Nieco w tyle jest firma TSMC, która tranzystory GAAFET zaoferuje w swojej 2nm litografii.

Do tej pory nie były znane konkretne plany Intela na ten temat. Według najnowszych danych, Intel za 5 lat chce posiadać gotowy proces litograficzny oparty o tranzystory GAAFET.

Może to oznaczać, że stosowane obecnie tranzystory FinFET, oprócz przygotowanej obecnie litografii 7nm zostaną użyte przez Intela w jeszcze jednym procesie litograficznym (5nm), a GAAFET trafią do litografii 3nm, planowanej do opracowania w 2025 roku.