Samsung chwali się pamięciami GDDR6

Samsung już od dłuższego czasu pracuje nad kolejną generacją pamięci RAM typu GDDR, nazwaną po prostu GDDR6. Firma właśnie ogłosiła, że jej układy GDDR6 o pojemności 2 GB, oznaczone symbolem K4ZAF325BM-HC14 otrzymały w swojej kategorii nagrodę Najlepszej Innowacji CES 2018. Pamięci GDDR6 pojawią się na rynku w przyszłym roku i w porównaniu do GDDR5 i GDDR5X zaoferują znacznie wyższą przepustowość, wynoszącą do 16 Gbps. Dla porównania pamięci GDDR5X stosowane w aktualnych kartach Nvidia mogą się pochwalić przepustowością na poziomie 10 lub 11 Gbps.

Dzięki tej zmianie przepustowość podsystemu pamięci na kartach graficznych z 256-bitowym interfejsem wyniesie 512GB/s, a w przypadku magistrali 384-bitowej będzie to 768GB/s. W przypadku GDDRX o szybkości 11 Gbps jest to odpowiednio: 352GB/s i 528 GB/s.

Dodatkowo pamięci GDDR6 mają konsumować mniejsze ilości energii, dzięki napięciu zasilania obniżonym z 1,5 do 1,35V. Kości GDDR6 otrzymają także nowy algorytm zarządzania napięciem w zależności od tego z jakim zegarem w danym momencie pracują.. Metoda o nazwie LP4X powinna zmniejszyć średnie zużycie energii nawet o 20%.

Aktualnie nie wiadomo jeszcze kiedy Samsung będzie gotowy do uruchomienia masowej produkcji nowych układów GDDR6. Wiadomo, że w pamięci tego typu mają być wyposażone najszybsze karty z serii GeForce 2000. Aktualnie według nieoficjalnych informacji Nvidia zamierza zaprezentować kolejną generację swoich kart podczas konferencji GTC 2018, która odbędzie się w dniach 26-29 marca przyszłego roku.