Pamięci Samsung Z-NAND - konkurent dla Intel Optane

poprzednie następne

Intel sporo namieszał na rynku komputerowych nośników danych, wprowadzając pamięci typu 3DXPoint, które mają bardzo wysoką wydajność i bardzo niskie opóźnienia. Możliwości 3DXPoint są na tyle duże, że Intel zamierza wprowadzić na rynek zbudowane z nich kości pamięci DIMM DDR4. Główny konkurent Intela w segmencie dysków SSD – koncern Samsung nie zamierza jednak oddawać pola na rynku wydajnych dysków SSD. Koreański producent będzie walczył z dyskami z rodziny Optane przy pomocy dysków korzystających z kości pamięci Z-NAND Flash.

Z-NAND to znacznie udoskonalone pamięci NAND SLC, sterowane przez zaprojektowany od podstaw kontroler. Według Samsunga pamięci mają oferować opóźnienia w dostępnie do danych na poziomie 12-20μs podczas odczytu i 16μs podczas zapisu danych. To prawie 5-10 krotnie mniej niż w dotychczasowych 48-warstwowych pamięciach 3D NAND MLC/TLC Samsunga, w których opóźnia wynoszą około 100μs, i blisko wartości osiąganej przez nośniki Optane (10μs).

Jednym z pierwszych dysków wyposażonych w Z-NAND będzie model SZ985 w formacie karty rozszerzeń PCI-Express, o pojemność 800 GB. Dysk zaoferuje prędkość zapisu i odczytu danych na poziomie 3,2GB/s, oraz wskaźnik IOPS 750 tysięcy operacji na sekundę podczas odczytu i 170 tysięcy w trakcie zapisu losowej próbki danych o wielkości 4K. W przypadku nośników Optane, prędkości odczytu i zapisu danych wynoszą 2,4-2,0 GB/s, natomiast wskaźnik IOPS 550 tysięcy operacji zarówno dla odczytu jak i zapisu. 

Aktualnie nie wiadomo jeszcze kiedy dokładnie rozpocznie się sprzedaż dysków, ani jaka będzie ich cena.